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Anello di guida in carburo di tantalum
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Anello di guida in carburo di tantalum

Vetek Semiconductor è un produttore professionista e leader dei prodotti anelli di guida in carburo di Tantalum in Cina. Il nostro anello guida TantaLum Carbide (TAC) è un componente ad alta prestazione realizzato in carburo di tantalum, che è comunemente usato nelle apparecchiature di elaborazione a semiconduttore, specialmente in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosivi come CVD, PVD, incisione e diffusione. Vetek Semiconductor si impegna a fornire soluzioni avanzate di tecnologia e prodotto per l'industria dei semiconduttori e accoglie con favore le tue ulteriori indagini.

SemiconduttoreGuida al carburo di Tantalum Ringè realizzato dagrafiteErivestito con carburo di tantalum, una combinazione che sfrutta le migliori proprietà di entrambi i materiali per garantire prestazioni e longevità superiori.


ILRivestimento TACSull'anello di guida in carburo di Tantalum assicura che rimanga chimicamente inerte nelle atmosfere reattive dei forni di crescita dei cristalli SIC, che spesso coinvolgono gas come idrogeno, argon e azoto. Questa inerzia chimica è vitale per prevenire qualsiasi contaminazione del cristallo in crescita, che potrebbe portare a difetti e ridotte prestazioni dei prodotti a semiconduttore finale. Inoltre, la stabilità termica fornita dal rivestimento TAC consente all'anello di guida del rivestimento in carburo di TantaLum di funzionare efficacemente alle alte temperature richieste perCrescita del cristallo SIC, tipicamente superiore a 2000 ° C.


Inoltre, la combinazione di grafite e TAC nell'anello di rivestimento in carburo di TantaLum ottimizza la gestione termica all'interno del forno di crescita del cristallo. L'elevata conduttività termica di grafite distribuisce efficiente il calore, prevenendo gli hotspot e promuovendo la crescita dei cristalli uniforme. Nel frattempo, il rivestimento in carburo di Tantalum funge da barriera termica, proteggendo il nucleo di grafite dall'esposizione diretta a temperature elevate e gas reattivi. Questa sinergia tra il nucleo e i materiali di rivestimento si traduce in un anello guida che non solo resiste alle dure condizioni della crescita dei cristalli SIC, ma migliora anche l'efficienza complessiva e la qualità del processo.


Le proprietà meccaniche del vetek Semiconductor Tantalum Carburo riducono notevolmente l'usura sull'anello di rivestimento in carburo di Tantalum. Questo è cruciale a causa della natura ripetitiva delprocesso di crescita cristallina, che espone l'anello guida a frequenti cicli termici e sollecitazioni meccaniche. La durezza e la resistenza all'usura del carburo di Tantalum assicurano che l'anello guida mantenga la sua integrità strutturale e dimensioni precise per lunghi periodi, riducendo al minimo la necessità di sostituti frequenti e riducendo i tempi di inattività nel processo di produzione.


L'anello di rivestimento in carburo di vetek semiconduttore tantalum è un componente essenziale nel settore dei semiconduttori, specificamente progettata per la crescita diCristalli di carburo di silicio. Il suo design sfrutta i punti di forza del carburo di grafite e tantalum per offrire prestazioni eccezionali in ambienti ad alta temperatura e ad alto stress. Il rivestimento TAC garantisce l'inertezza chimica, la durata meccanica e la stabilità termica, tutti fondamentali per produrre cristalli SIC di alta qualità. Mantenendo la sua integrità e funzionalità in condizioni estreme, l'anello guida supporta la crescita efficiente e priva di difetti dei cristalli SIC, contribuendo al progresso di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e ad alta frequenza.


Rivestimento in carburo di tantalum (TAC) su una sezione microscopica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Proprietà fisiche del rivestimento TAC:


Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità
14.3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di espansione termica
6.3*10-6/K
Durezza (HK)
2000 HK
Resistenza
1 × 10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10 ~ -20um
Spessore del rivestimento
≥20um Valore tipico (35um ± 10um)

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