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Suscettore in grafite rivestito in SiC CVD per supporto wafer
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Suscettore in grafite rivestito in SiC CVD per supporto wafer

Il suscettore in grafite rivestito in SiC VETEK CVD per wafer carrier è un componente di supporto wafer ad alte prestazioni progettato per i processi di epitassia dei semiconduttori. Il prodotto utilizza grafite di elevata purezza come substrato ed è rivestito con uno strato uniforme di carburo di silicio (SiC) CVD, che fornisce eccellente stabilità termica, resistenza chimica e controllo delle particelle. Essendo un componente critico del suscettore in grafite, supporta direttamente i wafer all'interno della camera di reazione e aiuta a mantenere una distribuzione uniforme della temperatura e condizioni di crescita epitassiale stabili.

1. Vantaggi del prodotto


  • Materiale ad alta purezza:Il materiale in grafite di grado semiconduttore e la densa struttura di rivestimento in SiC riducono al minimo i rischi di contaminazione e migliorano l'affidabilità del suscettore in grafite rivestito in SiC CVD.
  • Eccellente uniformità termica:La struttura in grafite ottimizzata e il rivestimento in SiC forniscono un trasferimento di calore stabile e un controllo uniforme della temperatura del wafer.
  • Resistenza chimica superiore:Il denso rivestimento SiC offre un'elevata resistenza ai gas di processo e agli ambienti corrosivi.
  • Lunga durata:L'elevata durezza e la resistenza all'usura migliorano la durabilità in condizioni di epitassia ad alta temperatura.
  • Bassa generazione di particelle:La densa superficie CVD SiC riduce il rilascio di particelle e migliora l'affidabilità del processo wafer.
  • Capacità di progettazione personalizzata:Disponibili in diverse dimensioni, strutture e configurazioni a seconda delle esigenze delle apparecchiature.



2. Specifiche tecniche

Articolo
Valore tipico
Materiale del substrato
Grafite ad elevata purezza
Materiale di rivestimento
CVD Carburo di silicio (SiC)
Purezza del SiC
≥99,999%
Spessore del rivestimento
100 ± 20 μm (personalizzabile)
Uniformità dello spessore del rivestimento
Controllato entro 10 μm tra i lotti
Densità del rivestimento SiC CVD
3,21 g/cm³
Conducibilità termica
300 W/m·K
Coefficiente di dilatazione termica
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Applicazioni


  • Processo di epitassia SiC:Il suscettore di grafite viene utilizzato come supporto del wafer nelle apparecchiature per epitassia SiC, supportando i substrati SiC durante la crescita epitassiale ad alta temperatura.
  • Processo di epitassia del silicio:Applicato nei reattori epitassiali di silicio per supportare wafer e mantenere condizioni termiche stabili.
  • Epitassia MOCVD:I suscettori in grafite VETEK sono adatti per MOCVD, epitassia LED, epitassia GaN, epitassia silicio e altri processi di produzione di semiconduttori che richiedono eccellente uniformità termica e stabilità chimica.
  • Attrezzature per la produzione di semiconduttori:Compatibile con varie piattaforme epitassia, inclusi forni orizzontali LPE, Aixtron, NuFlare e relative apparecchiature a semiconduttore.



4. Perché scegliere VETEK?

VETEK fornisce soluzioni personalizzate di suscettori in grafite rivestiti SiC CVD che integrano purificazione della grafite, lavorazione di precisione, rivestimento CVD e capacità di ispezione. I nostri prodotti suscettori in grafite di grado semiconduttore sono caratterizzati da elevata purezza, spessore del rivestimento uniforme, eccellenti prestazioni termiche e lunga durata per applicazioni esigenti di supporti wafer.

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