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Soffione doccia in grafite rivestito in carburo di silicio (SiC) CVD
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Soffione doccia in grafite rivestito in carburo di silicio (SiC) CVD

Se hai mai avuto a che fare con un flusso di gas irregolare o contaminazione di particelle in una camera di deposizione, il soffione doccia in grafite rivestito in SiC VETEK CVD è progettato per risolverlo. Inizia con grafite isostatica di elevata purezza per stabilità termica e facilità di lavorazione, quindi ottiene un denso rivestimento CVD in carburo di silicio (SiC) che sigilla la superficie, resiste ai gas corrosivi (come HCl o NF₃) e previene il degassamento. Il risultato è una piastra di distribuzione del gas che fornisce un flusso uniforme attraverso il wafer, gestisce l'epitassia ad alta temperatura e dura molto più a lungo della grafite o del quarzo nudo, rendendola un componente affidabile per i processi CVD, PECVD, MOCVD, epitassia al silicio ed epitassia SiC. Offriamo anche modelli e dimensioni dei fori personalizzati, perché non esistono due reattori esattamente uguali.

Caratteristiche principali

• Purezza ultraelevata – Il rivestimento SiC sigilla completamente la grafite, evitando quindi degassamento o contaminazione metallica.

• Eccellente distribuzione del gas – Ogni soffione è lavorato per fornire una velocità del gas costante su tutto il wafer.

• Resistenza alla corrosione superiore – CVD SiC non reagisce con alogeni o residui di processo. Dura molto più a lungo della grafite nuda o del quarzo.

• Prestazioni termiche eccezionali – Il rivestimento si adatta perfettamente all'espansione termica della grafite, quindi nessuna fessurazione durante le rapide rampe di temperatura.

• Produzione di precisione: utilizziamo la lavorazione CNC e il rivestimento CVD interno. I diametri e i modelli dei fori sono soggetti a tolleranze strette.


Specifiche tecniche



Applicazioni

Questi soffioni doccia sono utilizzati in:

• Sistemi CVD per semiconduttori (sia produzione che ricerca e sviluppo)

• Apparecchiature PECVD – dielettrici a bassa temperatura

• Reattori MOCVD – composti III‑V come GaN, InP

• Epitassia del silicio (Si Epi) – per dispositivi di potenza e CMOS

• Epitassia SiC – elettronica di potenza ad alta tensione

• Fabbri di semiconduttori composti

• Imballaggio avanzato (ad esempio, deposizione di liner TSV)

• Qualsiasi strumento a film sottile che necessita di un distributore di gas resistente alla corrosione e di elevata purezza



Perché scegliere VETEK?

• Non siamo una società commerciale. Tutto, dalla lavorazione della grafite al rivestimento finale SiC CVD, viene eseguito internamente. Ciò significa che controlliamo la qualità, i tempi di consegna e i costi.

• Produzione completamente interna – nessuna sorpresa in outsourcing

• Tecnologia di rivestimento avanzata: SiC CVD denso e privo di fori stenopeici

• Supporto tecnico personalizzato: inviaci il disegno del tuo soffione doccia o semplicemente il modello del reattore

• Catena di fornitura affidabile di semiconduttori: forniamo fabbriche e OEM da anni

• Non è necessario riqualificare ogni volta un nuovo progetto. Abbiamo già rivestito soffioni doccia per molte piattaforme comuni (AMAT, TEL, LAM, ASM, ecc.).


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