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Suscettore rivestito in carburo di tantalio CVD (TaC).
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Suscettore rivestito in carburo di tantalio CVD (TaC).

Il suscettore rivestito TaC VETEK CVD combina un substrato di grafite isostatica di elevata purezza con un rivestimento denso di carburo di tantalio (TaC) CVD per offrire eccezionale stabilità termica, resistenza alla corrosione e bassa generazione di particelle per l'epitassia dei semiconduttori più impegnativa. Progettato per la crescita epitassiale SiC, GaN e AlN, riduce al minimo la contaminazione, migliora l'uniformità della temperatura del wafer e prolunga la durata di servizio dei componenti nei processi MOCVD e CVD ad alta temperatura.

Caratteristiche principali

Stabilità alle alte temperature: mantiene prestazioni stabili in condizioni prolungate di lavorazione ad alta temperatura.
Resistenza alla corrosione: il denso rivestimento TaC fornisce una protezione efficace contro i gas di processo corrosivi.
Bassa generazione di particelle: una struttura di rivestimento densa aiuta a ridurre la contaminazione durante la crescita epitassiale.
Eccellente uniformità termica:  Supporta una distribuzione uniforme del calore per una migliore coerenza del processo.
Lunga durata: l'elevata resistenza all'usura contribuisce a ridurre la manutenzione e a cicli operativi più lunghi.


Applicazioni

Le applicazioni tipiche includono:

• Crescita epitassiale SiC

• Epitassia GaN MOCVD

• Crescita epitassiale AlN

• Produzione di semiconduttori di terza generazione

• Elettronica ad alta potenza

• Dispositivi RF

• Produzione MicroLED

• Ricerca e sistemi di produzione pilota


Attrezzatura compatibile

Le piattaforme compatibili includono:

• Aixtron

• LPE

• Veeco

•AMEC

• NuFlare

• Reattori CVD e MOCVD personalizzati


Disponibile anche:

• Portawafer

• Suscettori planetari

• Suscettori a canna

• Dischi di rotazione

• Parti Mezzaluna

• Piastre di copertura

• Assemblaggi di grafite

• Componenti del campo termico personalizzati


Specifiche tecniche

Materiale del substrato

Grafite isostatica ad elevata purezza

Materiale di rivestimento

Carburo di tantalio CVD (TaC)

Spessore del rivestimento
20–40 μm (personalizzabile)
Purezza del rivestimento
Fino al 99,9995%
Temperatura massima di lavoro

>2000°C (atmosfera inerte)

Densità
14,3 g/cm³
Durezza
~2000 corone svizzere
Coefficiente di dilatazione termica
6,3 × 10⁻⁶/K
Resistività elettrica
1 × 10⁻⁵ Ω·cm
Taglie disponibili
Personalizzato
Applicazioni tipiche
Epitassia di SiC, GaN, AlN

Domande frequenti

1. Che cos'è un suscettore rivestito in TaC CVD?

Un componente di grafite di elevata purezza protetto da un denso rivestimento CVD TaC utilizzato come supporto del wafer durante la crescita epitassiale.

2. Perché utilizzare il coa TaCting invece del rivestimento SiC?

TaC offre una maggiore resistenza alla temperatura, stabilità chimica superiore e maggiore durata.

3.Quali processi di semiconduttori utilizzano TaC-csuscettori rotati?

Epitassia SiC, GaN MOCVD, epitassia AlN e altri processi di crescita dei cristalli ad alta temperatura.

4. VETEK può produrre suscettori personalizzati?

SÌ. Forniamo progetti personalizzati basati sui disegni del cliente e sui requisiti di processo.

5. Quali marche di reattori sono supportate?

Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare e altri sistemi tradizionali.


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