SIC SUSTCHTOR PLA PLA PLASETERA

Il suscettore planetario rivestito di SIC è un vettore planetario rivestitosilicio carburo (sic), che viene utilizzato principalmente nei processi di deposizione del materiale a semiconduttore come la deposizione di vapore chimico metallo-organico (MOCVD), l'epitassia del fascio molecolare (MBE), ecc. La sua funzione principale è quella di trasportare e ruotare i wafer per garantire l'uniformità del materiale e la coerenza del campo termico durante il processo di deposizione. La sua funzione principale è quella di trasportare e ruotare i wafer per garantire l'uniformità del materiale e la consistenza del campo termico durante la deposizione e il rivestimento SIC fornisce al vettore l'eccellente resistenza ad alta temperatura, resistenza alla corrosione e conducibilità termica per semiconduttore ad alta precisionewaferelaborazione.

Scenari di applicazione di base per il suscettore planetario rivestito SIC

Processo di crescita epitassiale MOCVD

Nel processo MOCVD, il suscettore planetario rivestito SIC viene utilizzato principalmente per trasportare wafer di silicio (SI), carburo di silicio (SIC), nitruro di gallio (GAN), arsenide di gallio (GAA) e altri materiali.

● Requisiti funzionali: Posizionamento preciso e rotazione sincronizzata dei wafer per garantire la distribuzione uniforme di materiali depositati dal vapore sulla superficie del wafer e migliorare l'uniformità dello spessore e della composizione del film.

● Vantaggio: I rivestimenti SIC sono altamente resistenti alla corrosione e possono resistere all'erosione di precursori metallo-organici altamente reattivi come trimetilgallium (TMGA) e trimetilindium (TMIN), estendendo la loro durata di servizio.

Produzione di dispositivi di alimentazione in carburo di silicio (SIC)

Il suscettore planetario rivestito SIC è ampiamente utilizzato nella crescita epitassiale di dispositivi di potere SIC, come MOSFET, IGBT, SBD e altri dispositivi.

● Requisiti funzionali: Fornire una piattaforma di equalizzazione termica stabile in ambienti ad alta temperatura per garantire la qualità della cristallizzazione dello strato epitassiale e il controllo dei difetti.

● Vantaggio: I rivestimenti SIC sono resistenti ad alta temperatura (> 1600 ° C) e hanno un coefficiente di espansione termica (4.0 × 10^-6 K^-1) vicino a quello dei wafer in carburo di silicio, che riducono efficacemente le sollecitazioni termiche e migliora la qualità e la stabilità dello strato epitassiale.

Deep Ultraviolet (DUV) e produzione epitassiale a LED ultravioletto

Il suscettore planetario con rivestimento SIC è adatto alla crescita epitassiale di materiali come nitruro di gallio (GAN) e nitruro di gallio in alluminio (Algan) ed è ampiamente utilizzato nella produzione di LED UV e micro LED.

● Requisiti funzionali: Mantenere un controllo preciso della temperatura e una distribuzione uniforme del flusso d'aria per garantire l'accuratezza della lunghezza d'onda e le prestazioni del dispositivo.

● Vantaggio: L'elevata conduttività termica e la resistenza all'ossidazione consentono un'eccellente stabilità ad alte temperature per lunghi periodi di funzionamento, contribuendo a migliorare l'efficienza luminosa e la coerenza dei chip a LED.

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Il suscettore planetario rivestito di Veteksemicon SIC ha dimostrato vantaggi insostituibili in ambienti di produzione di semiconduttori ad alta temperatura e corrosivi attraverso le sue proprietà uniche del materiale e la progettazione meccanica. E i nostri principali prodotti suscettori planetari sono il suscettore planetario rivestito SIC,Suscettore planetario ald, Sussettore planetario di rivestimento TACe così via. Allo stesso tempo, Veteksemicon si impegna a fornire prodotti e servizi tecnici personalizzati al settore dei semiconduttori. Non vediamo l'ora di essere il tuo partner a lungo termine in Cina.