Solid SIC Wafer Carrier

Il vettore di wafer SiC solido di VETEK Semiconductor è progettato per ambienti resistenti alla corrosione ad alte temperature e alla corrosione nei processi epitassiali a semiconduttore ed è adatto a tutti i tipi di processi di produzione di wafer con elevati requisiti di purezza. Vetek Semiconductor è un fornitore di vettori di wafer leader in Cina e non vede l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine nel settore dei semiconduttori.

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Descrizione del prodotto

Il solido portatore di wafer SiC è un componente prodotto per l'alta temperatura, l'alta pressione e l'ambiente corrosivo del processo epitassiale a semiconduttore ed è adatto a vari processi di produzione di wafer con requisiti elevati di purezza.

Il solido portatore di wafer SiC copre il bordo del wafer, protegge il wafer e lo posiziona accuratamente, garantendo la crescita di strati epitassiali di alta qualità. I materiali SIC sono ampiamente utilizzati in processi come l'epitassia di fase liquida (LPE), la deposizione di vapore chimico (CVD) e la deposizione di vapore organico metallico (MOCVD) a causa della loro eccellente stabilità termica, resistenza alla corrosione e conducibilità termica eccezionale. Il vettore di wafer SiC solido di Vetek Semiconductor è stato verificato in più ambienti difficili e può garantire efficacemente la stabilità e l'efficienza del processo di crescita epitassiale del wafer.

Vapor-phase epitaxial growth method

Il solido portatore di wafer SiCCaratteristiche del prodotto

● Stabilità a temperatura massima: I portatori di wafer SiC solidi possono rimanere stabili a temperature fino a 1500 ° C e non sono soggetti a deformazione o cracking.

● Eccellente resistenza alla corrosione chimica: Utilizzando materiali in carburo di silicio ad alta purezza, può resistere alla corrosione da una varietà di sostanze chimiche tra cui acidi forti, alcali forti e gas corrosivi, estendendo la durata del vettore di wafer.

● Alta conducibilità termica: I portatori di wafer SiC solidi hanno un'eccellente conduttività termica e possono disperdere rapidamente e uniformemente il calore durante il processo, contribuendo a mantenere la stabilità della temperatura del wafer e migliorare l'uniformità e la qualità dello strato epitassiale.

● Bassa generazione di particelle: I materiali SIC hanno una caratteristica naturale a bassa generazione di particelle, che riduce il rischio di contaminazione e può soddisfare i rigorosi requisiti dell'industria dei semiconduttori per l'elevata purezza.

Specifiche tecniche:

Parametro	Descrizione
Materiale	Carburo di silicio solido di alta purezza
Dimensione del wafer applicabile	4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, 12 pollici (personalizzabile)
Tolleranza alla temperatura massima	Fino a 1500 ° C.
Resistenza chimica	Resistenza acida e alcali, resistenza alla corrosione del fluoro
Conducibilità termica	250 W/(M · K)
Tasso di generazione di particelle	Generazione di particelle ultra-bassa, adatta per elevati requisiti di purezza
Opzioni di personalizzazione	Dimensioni, forma e altri parametri tecnici possono essere personalizzati come richiesto

Perché scegliereSemiconduttoreAnello portante del substrato SIC solido SIC?

● Affidabilità: Dopo test rigorosi e verifica effettiva da parte dei clienti finali, può fornire supporto a lungo termine e stabile in condizioni estreme e ridurre il rischio di interruzione del processo.

● Materiali di alta qualità: Realizzato con materiali SIC di altissima qualità, assicurarsi che ogni solido vettore di wafer SiC soddisfi gli alti standard del settore.

● Servizio di personalizzazione: Supportare la personalizzazione di più specifiche e requisiti tecnici per soddisfare le esigenze di processo specifiche.

Se hai bisogno di più informazioni sul prodotto o per effettuare un ordine, contattaci. Forniremo consulenza e soluzioni professionali in base alle tue esigenze specifiche per aiutarti a migliorare l'efficienza della produzione e ridurre i costi di manutenzione.